个中性能极为能态的海洋。最终趋平衡的时候，整体的费米能级其实是拉平的。所以半导体体内的肺米能级会趋同于表面的中性能级。相当于中性能级，把体内的费米能级盯在了它的位置。这就是钉扎效应。与金属接触以后也。是这样。如果你在半导体的表面放一块金属的话。如果金属的分泌能级与中性能级不相同。能太密度较大的中性能级就会与金属内部的电子产生交换，最终使金属内部的费米能级也等于中性能级，这就解释了为什么势垒高度与金属的功函数基本无关。因为不管金属的功函数如何，与半导体接触后，费米能级都会被钉扎到中型等级，不会对势垒高度产生影响。所以wm小于ws的时候，欧姆接触也不存在了。全都是整流接触。对于si来说，可以具体的测量出定扎能剂。它距离倒带底的距离是23eg，vd同样也能求出来了，减去en先看硅二氧化硅系统中电荷状态的分类。
硅二氧化硅体系的过度性很好，经过2~3个原子层就能从晶体结构过渡到非晶体结构，而且没有一个截面突变性质比这种体系更完美的体系了。但是我们最初的放大器件却不是这个体系做的。很大一部分原因是硅和二氧化硅的界面以及二氧化硅体内的电荷分布是非理想性的，器件很难正常工作。
我们主要把它的非理想情况分为4点。第1点存在于硅和二氧化硅的界面，叫做界面陷阱电荷，也可以称它为快界面态。我们可以用qIt来表示。它有很多悬挂键，也就是si与氧气没有完全反应形成的，它既可以俘获电子，也可以释放电子，形成共价键。
第2个分类是氧化层中固定电荷。也就是在二氧化硅系统中，靠近界面的一侧，有不会动的正电荷，也就是氧化层中过剩的硅离子，或者说是氧化层中的氧空位。由于氧离子带负电，氧空位具有正电中心的作用，所以氧化层中的固定电荷带正电，我们可以用qf来表示。
第3种分类是氧化层中的可动电荷。就是二氧化硅里面可能不是很纯净，它会混有可动的钠离子和钾离子，他们都是带正电荷的。在外加电场的作用下，他们是可以移动的
